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陈容军个人成就

时间:2011-07-30 14:49来源:名人网 作者:名人之家 点击:

简介

研究员。1934年出生,共产党员,朝鲜平安北道人。毕业于东北人民大学。现任陕西省电子工业厅总工程师,研究生指导教师。

成就

1961年主持研制成功我国第一块集成电路0515锗全加器,它与世界第一块集成电路锗振荡器有同等技术水平。1962年研制成功硅外延片,1965年研究出硅电路介质隔离技术并应用于国防任务。1975年提出BIMOSIC方案,并攻克相容工艺技术,国内首次研制出BIMOS高速集成电路,1978年获国防科委科技成果三等奖。1981年主持研究成功我国第一块彩电和黑白电视集成电路,达国际水平,1983年分别获国防科委科技成果三等奖。1978~1984年主持领导,研制出数转换器和混合二次集成平台电路系列产品等达国内领先水平,分别获国防科委及航天部科技成果二等奖。1983年,首次提出在西安建设硅谷式科学工业园区"西安电子城"的设想和倡议。1985年,担任电子城领导小组副组长,直接参加领导,并经10多年的建设和发展,使电子城成为内地最大的电子工业基地,成为西安高新技术产业开发区的基础。1991年,被国务院批准为做出突出贡献享受国家级特殊津贴的专家。1995年,被登录为美国世界名人录中。1999年中国工程院院士侯选人。

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